Научные организации: Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН

Текст:

{{Карточка института |название = Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук |сокращение = ИФП СО РАН |эмблема = |изображение = |междуназвание = Rzhanov Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences |основан = 1964 |директор = А. В. Латышев |аспирантура = |расположение = |адрес = [[Академика Лаврентьева проспект 13]] |сайт = [[сайт::http://www.isp.nsc.ru/]] }} '''Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова''' — один из крупнейших институтов [[Новосибирск]]ого научного центра [[Президиум СО РАН|Сибирского отделения РАН]]. Основан в 1964 году. У истоков создания ИФП стоял крупный учёный академик Анатолий Васильевич Ржанов. В состав Института входит 23 научных лаборатории, Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», в котором разрабатывается и выпускается ряд тепловизионных систем и приборов. На базе Института действует один из наиболее эффективно работающих центров коллективного пользования — ЦКП «Наноструктуры». В Институте работает около 1000 человек, в том числе в филиале ИФП СО РАН «КТИПМ» — около 220 человек. Общее число научных сотрудников — 227 человек из них, 2 академика РАН, 4 член-корреспондента РАН, 41 доктор наук; 140 кандидатов наук. == Научные направления == Основными направлениями научной деятельности института являются: * актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем; * элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, в том числе физико-химические основы технологий микроэлектроники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики; * актуальные проблемы оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику. == История == Институт был основан в 1964 году на базе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума АН СССР № 49 от 24 апреля 1964 года)[5]. В 2003 году к Институту физики полупроводников СО РАН был присоединён в качестве филиала Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (постановление Президиума РАН № 224 от 1 июля 2003 года). В 2005 году к ИФП СО РАН был присоединён в качестве филиала Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (постановление Президиума РАН № 274 от 29 ноября 2005 года). В 2006 году Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН № 400 от 26 декабря 2006 года)[6]. Постановлением Президиума РАН № 262 от 13 декабря 2011 года Институт переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. Постановлением Президиума СО РАН № 440 от 14 декабря 2012 года в целях совершенствования структуры Института Омский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук исключен из состава Института. В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р Учреждение передано в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России). === Директора Института === * акад. А. В. Ржанов (1964—1990) * член-корр. РАН К. К. Свиташев (1990—1998) * акад. А. Л. Асеев (1998—2013) * акад. А. В. Латышев (с 2013) == Структура == В состав института входят следующие научные подразделения (более 20 лабораторий, филиал): === Научные отделы === * Отдел роста и структуры полупроводниковых материалов, ''руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор О. П. Пчеляков'' ** Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур, ''зав.лаб., к.т. н. С. В. Рыхлицкий'' ** Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А₃В₅, ''зав.лаб., к.ф.-м.н. А. И. Никифоров'' ** Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур, ''зав.лаб., к.ф.-м.н. В. В. Преображенский'' * Отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур, ''руководитель отдела академик А. Л. Асеев'' ** Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии , ''зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н. А. В. Латышев'' ** Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А₃В₅ , ''зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор З. Д. Квон'' * Отдел инфракрасных оптоэлектронных устройств на основе КРТ , ''руководитель отдела д.ф.-м.н. Ю. Г. Сидоров'' ** Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А₂В₆'','' ''зав.лаб., к.ф.-м.н. С. А. Дворецкий'' ** Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А₂В₆, ''зав.лаб., к.ф.-м.н. В. В. Васильев'' * Отдел тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники, ''руководитель отдела член-корр. РАН, профессор, И. Г. Неизвестный'' ** Лаборатория физики и технологии гетероструктур зав, ''зав.лаб., д.ф.-м.н. А. Э. Климов'' ** Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники , ''руководитель группы, член-корр. РАН И. Г. Неизвестный'' * Отдел физики и техники полупроводниковых структур , ''руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор, В. Н. Овсюк'' ** Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках , ''и. о. зав.лаб., к.ф.-м.н. Д. Г. Есаев'' ** Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А₃В₅, ''зав.лаб., к.ф.-м.н. А. И. Торопов'' === Лаборатории === * Лаборатория теоретической физики , ''зав.лаб., академик, профессор А. В. Чаплик'' * Лаборатория вычислительных систем, ''зав.лаб., д.т. н. К. В. Павский'' * Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик, ''зав.лаб., к.х.н. О. И. Семенова'' * Лаборатория оптических материалов и структур , ''зав.лаб., к.ф.-м.н. В. В. Атучин'' * Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур , ''зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор В. Я. Принц'' * Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках , ''зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор, А. С. Терехов'' * Лаборатория физических основ материаловедения кремния , ''зав.лаб., д.ф-м.н. В. П. Попов'' * Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники , ''и. о.зав. лаб., д.ф.-м.н. А. П. Ковчавцев'' * Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники , ''зав.лаб., д.ф.-м.н. О. В. Наумова'' * Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем . ''зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор, А. В. Двуреченский'' * Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий , ''зав.лаб., д.ф.-м.н. Н. Н. Рубцова'' * Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики , ''зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н. И. И. Рябцев'' * Лаборатория мощных газовых лазеров , ''зав.лаб., к.ф.-м.н. Д. Э. Закревский'' === Новосибирский филиал ИФП СО РАН «КТИПМ» === * Научно-исследовательский отдел фотохимических технологий * Научно-исследовательский отдел тепловидение и телевидения * Тематический отдел конструирования оптико-электронных приборов * Тематический отдел электронных систем * Тематический отдел моделирования оптико-электронных приборов * Тематический отдел прикладной оптико-электронной техники и технологий * Тематический отдел специального технологического оборудования === Известные учёные === * Асеев, Александр Леонидович — академик * Богданов, Сергей Васильевич — член-корр. РАН, профессор * Двуреченский, Анатолий Васильевич — член-корр. РАН, профессор * Латышев, Александр Васильевич — член-корр. РАН, профессор * Неизвестный, Игорь Георгиевич — член-корр. РАН, профессор * Овсюк, Виктор Николаевич — д.ф.-м.н., профессор * Пчеляков, Олег Петрович — д.ф.-м.н., профессор * Ржанов, Анатолий Васильевич — академик * Рябцев, Игорь Ильич — член-корр. РАН, д.ф.-м.н. * Свиташев, Константин Константинович — член-корр. РАН * Смирнов, Леонид Степанович — д.ф.-м.н., профессор * Стенин, Сергей Иванович — д.ф.-м.н. * Хорошевский, Виктор Гаврилович — член-корр. РАН, профессор * Чаплик, Александр Владимирович — академик, профессор === Дирекция === * Директор — Латышев, Александр Васильевич — член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор * Заместители директора по научной работе: ** Двуреченский, Анатолий Васильевич — член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор ** Пчеляков, Олег Петрович — д.ф.-м.н., профессор * Советники РАН: ** Богданов, Сергей Васильевич — член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор ** Неизвестный, Игорь Георгиевич — член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор == Научная инфраструктура == === Центр коллективного пользования === В Институте действует центр коллективного пользования «Наноструктуры» в котором, проводят исследования различными методами электронной микроскопии атомной структуры, морфологии и химического состава, осуществляется контроль атомарных поверхностей, создаются структуры пониженной размерности для наноэлектроники. ЦКП создан на базе Новосибирского государственного университета и ряда Институтов СО РАН: ИФП, ИК, ИНХ. Руководитель: член-корр. РАН, профессор А. В. Латышев. === Уникальные научные установки === '''Автоматизированная многомодульная сверхвысоковакуумная установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М» (МЛЭ КРТ «Обь-М»)''' Установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М», разработанная и изготовленная в ИФП СО РАН. Установка используется для выращивания наногетероэпитаксиальных структур твердых растворов теллуридов кадмия и ртути (КРТ) и фоточувствительных материалов на основе многослойных гетероструктур из узкозонных твердых растворов КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из кремния и арсенида галлия. '''Уникальная научная установка «Многофункциональный аналитический субангстремный сверхвысоковакуумный комплекс» (УНУ «МАССК-ИФП»)''' Многофункциональный аналитический субангстремный сверхвысоковакуумный комплекс «МАССК-ИФП» разработан в ИФП СО РАН и не имеет аналогов в РФ. Единственный упрощенный прототип этого оборудования установлен в Токийском технологическом университете в Японии. Уникальный комплекс высокотехнологичного оборудования МАССК-ИФП, входящий в состав ЦКП «Наноструктуры» при ИФП СО РАН, обеспечивает проведение диагностики и прецизионное управление атомными процессами, протекающими на поверхности кристаллов на субангстремном уровне. == См. также == * [[ИЯФ СО РАН|Институт ядерной физики СО РАН]] * [[Институт автоматики и электрометрии СО РАН]] * [[Новосибирский государственный университет]] * [[Новосибирский государственный технический университет]] == Ссылки == * [http://www.isp.nsc.ru/ Официальный сайт института] [[Категория:Сибирское отделение РАН]] [[Категория:Наука]] [[Категория:Научные институты]]