Редактирование:
Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН
(раздел)
Перейти к навигации
Перейти к поиску
Внимание:
Вы не вошли в систему. Ваш IP-адрес будет общедоступен, если вы запишете какие-либо изменения. Если вы
войдёте
или
создадите учётную запись
, её имя будет использоваться вместо IP-адреса, наряду с другими преимуществами.
Анти-спам проверка.
Не
заполняйте это!
== Научная инфраструктура == === Центр коллективного пользования === В Институте действует центр коллективного пользования «Наноструктуры» в котором, проводят исследования различными методами электронной микроскопии атомной структуры, морфологии и химического состава, осуществляется контроль атомарных поверхностей, создаются структуры пониженной размерности для наноэлектроники. ЦКП создан на базе Новосибирского государственного университета и ряда Институтов СО РАН: ИФП, ИК, ИНХ. Руководитель: член-корр. РАН, профессор А. В. Латышев. === Уникальные научные установки === '''Автоматизированная многомодульная сверхвысоковакуумная установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М» (МЛЭ КРТ «Обь-М»)''' Установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М», разработанная и изготовленная в ИФП СО РАН. Установка используется для выращивания наногетероэпитаксиальных структур твердых растворов теллуридов кадмия и ртути (КРТ) и фоточувствительных материалов на основе многослойных гетероструктур из узкозонных твердых растворов КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из кремния и арсенида галлия. '''Уникальная научная установка «Многофункциональный аналитический субангстремный сверхвысоковакуумный комплекс» (УНУ «МАССК-ИФП»)''' Многофункциональный аналитический субангстремный сверхвысоковакуумный комплекс «МАССК-ИФП» разработан в ИФП СО РАН и не имеет аналогов в РФ. Единственный упрощенный прототип этого оборудования установлен в Токийском технологическом университете в Японии. Уникальный комплекс высокотехнологичного оборудования МАССК-ИФП, входящий в состав ЦКП «Наноструктуры» при ИФП СО РАН, обеспечивает проведение диагностики и прецизионное управление атомными процессами, протекающими на поверхности кристаллов на субангстремном уровне.
Описание изменений:
Пожалуйста, учтите, что любой ваш вклад в проект «ultracity» может быть отредактирован или удалён другими участниками. Если вы не хотите, чтобы кто-либо изменял ваши тексты, не помещайте их сюда.
Вы также подтверждаете, что являетесь автором вносимых дополнений, или скопировали их из источника, допускающего свободное распространение и изменение своего содержимого (см.
Ultracity:Авторские права
).
НЕ РАЗМЕЩАЙТЕ БЕЗ РАЗРЕШЕНИЯ ОХРАНЯЕМЫЕ АВТОРСКИМ ПРАВОМ МАТЕРИАЛЫ!
Отменить
Справка по редактированию
(в новом окне)
Навигация
Персональные инструменты
Вы не представились системе
Обсуждение
Тёмная тема
Вклад
Создать учётную запись
Войти
Пространства имён
Статья
Обсуждение
русский
Просмотры
Читать
Править с помощью формы
Править
История
Ещё
Обновить
Поиск
Навигация
Заглавная страница
Свежие правки
Новосибирск
Недвижимость
Коммерческая
Инструменты
Ссылки сюда
Связанные правки
Служебные страницы
Сведения о странице