Редактирование: ASML (раздел)

== Продукция ==

Фотолитографические установки ASML используются в производстве интегральных микросхем. В таких установках происходит процесс оптического проецирования специальных частично прозрачных шаблонов (масок) на поверхность полупроводниковой пластины, покрытую тонкой плёнкой светочувствительного материала (фоторезиста). Для каждой пластины эта процедура повторяется несколько десятков раз. После каждого проецирования происходит обработка пластины с нанесённым фоторезистом, в процессе которой формируются электронные структуры микросхем. Оптический метод, применяемый в установках ASML, используется в настоящее время для производства практически всех интегральных схем.

Лидирующим поставщиком устройств для литографии ASML стала в 2002 году. На 2007 год, ASML имеет долю рынка продаж фотолитографического оборудования в 65 % (во всем мире). Компания тесно сотрудничает с немецкой фирмой Zeiss, которая является её основным поставщиком оптики. Конкурентами компании являются Canon и Nikon. На 2008 год, установка ASML высшего класса Twinscan XT:1950 может использоваться с техпроцессами вплоть до 38нм со скоростью до 131 пластины в час. В установке используется иммерсионная литография с водяной прослойкой и аргон-фторидный (argon-fluoride, ArF) эксимерный лазер с длиной волны 193 нм. На тот же момент, в среднем, литографическая установка стоила 22 млн евро. В 2009 году, ASML разрабатывала установки с лазерами на 13.5 нм (EUVL). 22 Апреля 2009, бельгийский исследовательский центр Imec представил работоспособные чипы КМОП SRAM выполненные по техпроцессу 22 нм на прототипе установки ASML с EUVL.