Редактирование: Новосибирский завод полупроводниковых приборов (раздел)

== История ==

Строительство завода по производству сверхминиатюрных ламп особой прочности спецназначения, предназначенных для взрывателей снарядов зенитной артиллерии, началось в [[Новосибирск]]е в 1950 году. В соответствии с приказом министра радиопромышленности СССР №177 завод введён в частичную эксплуатацию 12 июля 1956 года.

С конца 1950-х годов коллектив завода принимает участие в создании ракетной техники. В 1961 году четверо инженеров и рабочих предприятия награждаются орденами и медалями за создание образцов техники космического корабля «Восток». Кроме того, компоненты предприятия применялись в качестве элементной базы в проектах Венера-13 и Венера-14. 

В 1961 году предприятие перепрофилируют и реконструируют, в 1966 году завод вышел на производственную мощность по изготовлению полупроводниковых приборов.

В 1966 году завод получил орден Трудового Красного Знамени, в 1975 году — орден Октябрьской революции.

В 1991 году НЗПП было изготовлено 44,7 млн интегральных микросхем и свыше 200 млн полупроводниковых устройств. В настоящее время предприятие выпускает более 400 типов микросхем и 700 типов различных полупроводниковых приборов.