Новосибирский завод полупроводниковых приборов
Новосибирский завод полупроводниковых приборов | |
Тип |
Акционерное общество |
---|---|
Прежние названия |
Завод № 453 |
Основатели |
Министерство радиопромышленности СССР |
Расположение | |
Ключевые фигуры |
Владимир Ильич Исюк |
Отрасль |
Полупроводниковая промышленность |
Продукция |
микросхемы, стабилитроны, микропроцессоры, ограничители напряжения, генераторы шума |
Сайт |
Новосибирский завод полупроводниковых приборов с особым конструкторским бюро (НЗПП с ОКБ) — предприятие, осуществляющее производство полупроводниковых устройств, и расположенное в Заельцовском районе Новосибирска.
Входит в состав холдинговой компании «Росэлектроника» Государственной корпорации «Ростех».
История[править]
Строительство завода по производству сверхминиатюрных ламп особой прочности спецназначения, предназначенных для взрывателей снарядов зенитной артиллерии, началось в Новосибирске в 1950 году. В соответствии с приказом министра радиопромышленности СССР №177 завод введён в частичную эксплуатацию 12 июля 1956 года.
С конца 1950-х годов коллектив завода принимает участие в создании ракетной техники. В 1961 году четверо инженеров и рабочих предприятия награждаются орденами и медалями за создание образцов техники космического корабля «Восток». Кроме того, компоненты предприятия применялись в качестве элементной базы в проектах Венера-13 и Венера-14.
В 1961 году предприятие перепрофилируют и реконструируют, в 1966 году завод вышел на производственную мощность по изготовлению полупроводниковых приборов.
В 1966 году завод получил орден Трудового Красного Знамени, в 1975 году — орден Октябрьской революции.
В 1991 году НЗПП было изготовлено 44,7 млн интегральных микросхем и свыше 200 млн полупроводниковых устройств. В настоящее время предприятие выпускает более 400 типов микросхем и 700 типов различных полупроводниковых приборов.
Продукция[править]
- стабилитроны
- стабисторы
- генераторы шума
- ограничители напряжения
- диодные матрицы
- микропроцессорный комплект
- КМОП БИС
- КМОП логические микросхемы среднего быстродействия
- КМОП логические микросхемы повышенного быстродействия
- интегральные микросхемы с проектными нормами до 0,25 мкм
Сотрудничество с ВУЗами[править]
На базе базового центра проектирования (дизайн-центра) ОКБ создан и действует учебный центр в составе филиалов трех базовых кафедр Новосибирского государственного технического университета и Сибирского государственного университета телекоммуникаций и информатики.
Совместно с Институтом физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН и АО «Росэлектроника» предприятие участвует в разработке полупроводниковых пластин для фоточувствительных приемников нового поколения.
Совместно с Институтом физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН и компаниями SVTC и Sygma-Group предприятие входит в кластер микро-, нано- и биоэлектроники.
На карте[править]